Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Řada
STripFET H7
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
35mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální ztrátový výkon Pd
40W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
14nC
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,44
€ 1,488 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,44
€ 1,488 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,488 | € 7,44 |
| 25 - 45 | € 1,414 | € 7,07 |
| 50 - 120 | € 1,272 | € 6,36 |
| 125 - 245 | € 1,144 | € 5,72 |
| 250+ | € 1,084 | € 5,42 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Řada
STripFET H7
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
35mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální ztrátový výkon Pd
40W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
14nC
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


