Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
35mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
100W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
16 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
38nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
6.2 mm
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 828,80
€ 0,732 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 828,80
€ 0,732 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
35mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
100W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
16 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
38nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
6.2 mm
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


