Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-252
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
35mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
100W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
16 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
38nC
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 9,41
€ 1,882 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 9,41
€ 1,882 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,882 | € 9,41 |
| 10 - 20 | € 1,596 | € 7,98 |
| 25 - 95 | € 1,54 | € 7,70 |
| 100 - 495 | € 1,228 | € 6,14 |
| 500+ | € 1,126 | € 5,63 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-252
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
35mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
100W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
16 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
38nC
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


