Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
18A
Maximální napětí na zdroji Vds
200V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
125mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
28nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
6.2 mm
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 923,31
€ 1,169 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 2 923,31
€ 1,169 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
18A
Maximální napětí na zdroji Vds
200V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
125mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
28nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
6.2 mm
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


