řada: MDmesh K5, SuperMESH5MOSFET STD2N80K5 N-kanálový 2 A 800 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 Ω
Channel Mode
Vylepšení
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9,5 nC při 10 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
MDmesh K5, SuperMESH5
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.4mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 Ω
Channel Mode
Vylepšení
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9,5 nC při 10 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
MDmesh K5, SuperMESH5
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.4mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products