Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
80 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.4mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,38
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
€ 0,38
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
80 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.4mm
Podrobnosti o výrobku