řada: MDmesh, SuperMESHMOSFET STD3NK90ZT4 N-kanálový 3 A 900 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22,7 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 663,20
€ 0,665 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 663,20
€ 0,665 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22,7 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products