Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Řada
STripFET II
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
16mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
49nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 896,00
€ 0,758 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 896,00
€ 0,758 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Řada
STripFET II
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
16mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
49nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


