řada: STripFET F3MOSFET STD65N55F3 N-kanálový 80 A 55 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
STripFET F3
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33,5 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 10,08
€ 2,016 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 10,08
€ 2,016 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
STripFET F3
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33,5 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products