Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
36nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 62,70
€ 1,254 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 62,70
€ 1,254 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,254 | € 12,54 |
| 100 - 240 | € 1,14 | € 11,40 |
| 250 - 490 | € 1,11 | € 11,10 |
| 500+ | € 1,082 | € 10,82 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
36nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


