řada: DeepGate, STripFETMOSFET STD80N4F6 N-kanálový 80 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
DeepGate, STripFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
36 nC při 10 V
Breite
6.2mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,731
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,731
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
DeepGate, STripFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
36 nC při 10 V
Breite
6.2mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products