Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Řada
DeepGate, STripFET
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
36nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 964,54
€ 0,786 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 964,54
€ 0,786 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Řada
DeepGate, STripFET
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
36nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


