Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
36nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 10,02
€ 1,002 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 10,02
€ 1,002 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,002 | € 10,02 |
| 50 - 90 | € 0,952 | € 9,52 |
| 100 - 240 | € 0,865 | € 8,65 |
| 250 - 490 | € 0,842 | € 8,42 |
| 500+ | € 0,822 | € 8,22 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
36nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


