řada: STripFET VMOSFET STD95N2LH5 N-kanálový 80 A 25 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
STripFET V
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,4 nC při 5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 7,02
€ 1,404 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,02
€ 1,404 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,404 | € 7,02 |
| 25 - 45 | € 1,334 | € 6,67 |
| 50 - 120 | € 1,198 | € 5,99 |
| 125 - 245 | € 1,082 | € 5,41 |
| 250+ | € 1,028 | € 5,14 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
STripFET V
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,4 nC při 5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products