Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
40A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
ISOTOP
Typ montáže
Panel
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
130mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
307.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
460W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±30 V
Minimální provozní teplota
-65°C
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
25.5 mm
Délka
38.2mm
Výška
9.1mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 321,36
€ 32,136 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
€ 321,36
€ 32,136 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
10
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 32,136 | € 321,36 |
| 50 - 90 | € 30,69 | € 306,90 |
| 100 - 190 | € 27,059 | € 270,59 |
| 200 - 490 | € 25,259 | € 252,59 |
| 500+ | € 23,459 | € 234,59 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
40A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
ISOTOP
Typ montáže
Panel
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
130mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
307.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
460W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±30 V
Minimální provozní teplota
-65°C
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
25.5 mm
Délka
38.2mm
Výška
9.1mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


