Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220FP
Řada
FDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.45Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
30nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 8,96
€ 4,48 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
2
€ 8,96
€ 4,48 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220FP
Řada
FDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.45Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
30nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


