Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 25,20
€ 2,52 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 25,20
€ 2,52 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
10 - 99 | € 2,52 |
100 - 499 | € 2,01 |
500 - 999 | € 1,79 |
1000+ | € 1,51 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku