Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 81,60
€ 1,632 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 81,60
€ 1,632 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,632 | € 81,60 |
| 100 - 200 | € 1,322 | € 66,10 |
| 250+ | € 1,19 | € 59,48 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku


