Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 2,33
€ 2,33 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 2,33
€ 2,33 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 4 | € 2,33 |
| 5 - 9 | € 2,22 |
| 10 - 24 | € 1,99 |
| 25 - 49 | € 1,80 |
| 50+ | € 1,70 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku


