Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 53,24
€ 1,065 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 53,24
€ 1,065 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,065 | € 53,24 |
| 100 - 200 | € 0,799 | € 39,93 |
| 250+ | € 0,757 | € 37,85 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku


