Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
17A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
190mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
30W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 97,20
€ 1,944 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 97,20
€ 1,944 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,944 | € 97,20 |
| 100 - 450 | € 1,608 | € 80,39 |
| 500 - 950 | € 1,565 | € 78,25 |
| 1000 - 4950 | € 1,526 | € 76,31 |
| 5000+ | € 1,487 | € 74,36 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
17A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
190mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
30W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


