Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
20A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
165mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
60nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 177,00
€ 3,54 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 177,00
€ 3,54 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
20A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
165mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
60nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


