Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
20A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
165mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
60nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 5,84
€ 5,84 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
€ 5,84
€ 5,84 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
20A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
165mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
60nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


