řada: MDmesh DM2MOSFET STF35N60DM2 N-kanálový 28 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
16.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 151,61
€ 3,032 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 151,61
€ 3,032 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,032 | € 151,61 |
| 100 - 450 | € 2,953 | € 147,67 |
| 500+ | € 2,881 | € 144,03 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
16.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products