Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
40W
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 151,61
€ 3,032 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 151,61
€ 3,032 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,032 | € 151,61 |
| 100 - 450 | € 2,953 | € 147,67 |
| 500+ | € 2,881 | € 144,03 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
40W
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101


