Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
1kV
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6Ω
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
25W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
18nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 16,86
€ 3,372 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 16,86
€ 3,372 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
1kV
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6Ω
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
25W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
18nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


