Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
30W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
72nC
Přímé napětí Vf
1.1V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
4.6 mm
Výška
16.4mm
Länge
10.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3,22
€ 0,644 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 3,22
€ 0,644 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 0,644 | € 3,22 |
| 25 - 45 | € 0,626 | € 3,13 |
| 50 - 120 | € 0,61 | € 3,05 |
| 125 - 245 | € 0,592 | € 2,96 |
| 250+ | € 0,578 | € 2,89 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
30W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
72nC
Přímé napětí Vf
1.1V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
4.6 mm
Výška
16.4mm
Länge
10.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


