Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
3.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
1kV
Typ balení
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.7Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
42nC
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
30W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Výška
9.3mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,94
€ 3,97 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 7,94
€ 3,97 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,97 | € 7,94 |
| 10 - 98 | € 3,36 | € 6,72 |
| 100 - 498 | € 2,69 | € 5,38 |
| 500 - 998 | € 2,395 | € 4,79 |
| 1000+ | € 2,015 | € 4,03 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
3.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
1kV
Typ balení
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.7Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
42nC
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
30W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Výška
9.3mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


