řada: MDmesh M2MOSFET STFH18N60M2 N-kanálový 13 A 650 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M2
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
11.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.8mm
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
16.2mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
46
P.O.A.
46
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M2
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
11.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.8mm
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
16.2mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products