STMicroelectronics IGBT STGB10NC60HDT4 Typ N-kanálový 20 A 600 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
20A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
65W
Gehäusegröße
TO-263
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.5V
Minimální provozní teplota
-55°C
Betriebstemperatur max.
150°C
Länge
10.4mm
Výška
4.6mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 50,45
€ 2,018 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 50,45
€ 2,018 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
25
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 2,018 | € 10,09 |
| 50 - 120 | € 1,82 | € 9,10 |
| 125 - 245 | € 1,632 | € 8,16 |
| 250+ | € 1,552 | € 7,76 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
20A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
65W
Gehäusegröße
TO-263
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.5V
Minimální provozní teplota
-55°C
Betriebstemperatur max.
150°C
Länge
10.4mm
Výška
4.6mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products