STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGB18N40LZT4 Typ N-kanálový 30 A 420 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
30A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
420V
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Gehäusegröße
TO-263
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
16 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.7V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Řada
Automotive Grade
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 11,16
€ 2,232 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
€ 11,16
€ 2,232 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
30A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
420V
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Gehäusegröße
TO-263
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
16 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.7V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Řada
Automotive Grade
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products