Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální stejnosměrný proud kolektoru
25 A
Kollektor-Emitter-
425 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±16V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,22
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 2,22
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
5 - 5 | € 2,22 | € 11,10 |
10 - 95 | € 1,89 | € 9,45 |
100 - 495 | € 1,47 | € 7,35 |
500+ | € 1,30 | € 6,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální stejnosměrný proud kolektoru
25 A
Kollektor-Emitter-
425 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±16V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.