STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT STGD5H60DF Typ N-kanálový 10 A 600 V, TO-252, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
10A
Typ produktu
Trenchová brána, field-stope IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
88W
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.95V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
RoHS
Řada
H
Jmenovitá energie
221mJ
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,86
€ 0,786 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 7,86
€ 0,786 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,786 | € 7,86 |
| 50 - 90 | € 0,745 | € 7,45 |
| 100 - 240 | € 0,671 | € 6,71 |
| 250 - 490 | € 0,605 | € 6,05 |
| 500+ | € 0,575 | € 5,75 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
10A
Typ produktu
Trenchová brána, field-stope IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
88W
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.95V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
RoHS
Řada
H
Jmenovitá energie
221mJ
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products