IGBT STGD5NB120SZT4 N-kanálový 10 A 1200 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
75 W
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Jmenovitá energie
12.68mJ
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Kapacitance hradla
430pF
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,78
€ 1,556 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,78
€ 1,556 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,556 | € 7,78 |
| 25 - 45 | € 1,478 | € 7,39 |
| 50 - 120 | € 1,332 | € 6,66 |
| 125 - 245 | € 1,198 | € 5,99 |
| 250+ | € 1,136 | € 5,68 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
75 W
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Jmenovitá energie
12.68mJ
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Kapacitance hradla
430pF
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products