STMicroelectronics IGBT STGD5NB120SZT4 Typ N-kanálový 5 A 1200 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 690 ns
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
5A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
1200V
Maximální ztrátový výkon Pd
75W
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
690ns
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
6.4 mm
Höhe
2.2mm
Délka
6.2mm
Normy/schválení
JEDEC JESD97, ECOPACK
Řada
H
Jmenovitá energie
12.68mJ
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,78
€ 1,556 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,78
€ 1,556 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,556 | € 7,78 |
| 25 - 45 | € 1,478 | € 7,39 |
| 50 - 120 | € 1,332 | € 6,66 |
| 125 - 245 | € 1,198 | € 5,99 |
| 250+ | € 1,136 | € 5,68 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
5A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
1200V
Maximální ztrátový výkon Pd
75W
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
690ns
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
6.4 mm
Höhe
2.2mm
Délka
6.2mm
Normy/schválení
JEDEC JESD97, ECOPACK
Řada
H
Jmenovitá energie
12.68mJ
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products