STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 29 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
29A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
80W
Gehäusegröße
TO-220FP
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
3.8μs
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.75V
Betriebstemperatur max.
150°C
Výška
10.4mm
Länge
30.6mm
Normy/schválení
RoHS
Řada
Low Drop
Jmenovitá energie
8mJ
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 57,35
€ 1,147 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 57,35
€ 1,147 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,147 | € 57,35 |
| 100 - 200 | € 1,133 | € 56,64 |
| 250+ | € 1,119 | € 55,94 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
29A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
80W
Gehäusegröße
TO-220FP
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
3.8μs
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.75V
Betriebstemperatur max.
150°C
Výška
10.4mm
Länge
30.6mm
Normy/schválení
RoHS
Řada
Low Drop
Jmenovitá energie
8mJ
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products