STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT STGFW30V60DF Typ N-kanálový 60 A 600 V, TO-3PF, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
60A
Typ produktu
Trenchová brána, field-stope IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
260W
Gehäusegröße
TO-3PF
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.3V
Minimální provozní teplota
-55°C
Betriebstemperatur max.
175°C
Länge
15.7mm
Výška
26.7mm
Normy/schválení
ECOPACK
Řada
V
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,01
€ 3,505 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 7,01
€ 3,505 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,505 | € 7,01 |
| 10 - 18 | € 3,33 | € 6,66 |
| 20 - 48 | € 3,00 | € 6,00 |
| 50 - 98 | € 2,70 | € 5,40 |
| 100+ | € 2,555 | € 5,11 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
60A
Typ produktu
Trenchová brána, field-stope IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
260W
Gehäusegröße
TO-3PF
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.3V
Minimální provozní teplota
-55°C
Betriebstemperatur max.
175°C
Länge
15.7mm
Výška
26.7mm
Normy/schválení
ECOPACK
Řada
V
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products