Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální stejnosměrný proud kolektoru
20 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,89
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
5
€ 0,89
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
5 - 20 | € 0,89 | € 4,45 |
25 - 45 | € 0,84 | € 4,20 |
50 - 120 | € 0,76 | € 3,80 |
125 - 245 | € 0,74 | € 3,70 |
250+ | € 0,72 | € 3,60 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální stejnosměrný proud kolektoru
20 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.