STMicroelectronics IGBT STGW20H60DF Typ N-kanálový 40 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
40A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
167W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Höhe
20.15mm
Normy/schválení
RoHS
Řada
Trench Gate Field Stop
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 25,25
€ 2,525 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 25,25
€ 2,525 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 2,525 | € 5,05 |
| 20 - 48 | € 2,275 | € 4,55 |
| 50 - 98 | € 2,045 | € 4,09 |
| 100+ | € 1,945 | € 3,89 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
40A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
167W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Höhe
20.15mm
Normy/schválení
RoHS
Řada
Trench Gate Field Stop
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products