Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
54A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
167W
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
70ns
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.7V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
JEDEC
Šířka
5.15mm
Řada
SMPS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3,54
€ 3,54 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 3,54
€ 3,54 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,54 |
| 10 - 99 | € 1,96 |
| 100 - 599 | € 1,60 |
| 600+ | € 1,39 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
54A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
167W
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
70ns
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.7V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
JEDEC
Šířka
5.15mm
Řada
SMPS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
