STMicroelectronics IGBT STGW20NC60VD Typ N-kanálový 54 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 70 ns
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální trvalý kolektorový proud Ic
54A
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
167W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
70ns
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.7V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Höhe
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
JEDEC
Řada
SMPS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3,92
€ 3,92 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 3,92
€ 3,92 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,92 |
| 10 - 99 | € 3,66 |
| 100 - 499 | € 3,55 |
| 500 - 999 | € 3,47 |
| 1000+ | € 3,38 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální trvalý kolektorový proud Ic
54A
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
167W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
70ns
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.7V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Höhe
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
JEDEC
Řada
SMPS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products