STMicroelectronics IGBT STGW80H65DFB Typ N-kanálový 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Skladové číslo RS: 792-5814Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STGW80H65DFB
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

469W

Gehäusegröße

TO-247

Typ montáže

Through Hole

Typ kanálu

Type N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Höhe

20.15mm

Normy/schválení

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Řada

H

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 5,29

€ 5,29 Each (bez DPH)

STMicroelectronics IGBT STGW80H65DFB Typ N-kanálový 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 5,29
2€ 10,58
3€ 15,87
4€ 21,16
5€ 25,10
6€ 30,12
7€ 35,14
8€ 40,16
9€ 45,18
10€ 45,20
11€ 49,72
12€ 54,24
13€ 58,76
14€ 63,28
15€ 67,80

€ 5,29

€ 5,29 Each (bez DPH)

STMicroelectronics IGBT STGW80H65DFB Typ N-kanálový 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 5,29
2€ 10,58
3€ 15,87
4€ 21,16
5€ 25,10
6€ 30,12
7€ 35,14
8€ 40,16
9€ 45,18
10€ 45,20
11€ 49,72
12€ 54,24
13€ 58,76
14€ 63,28
15€ 67,80

MnožstvoJednotková cena
1 - 4€ 5,29
5 - 9€ 5,02
10 - 24€ 4,52
25 - 49€ 4,07
50+€ 3,88

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

469W

Gehäusegröße

TO-247

Typ montáže

Through Hole

Typ kanálu

Type N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Höhe

20.15mm

Normy/schválení

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Řada

H

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more