STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Maximální ztrátový výkon Pd
469W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Höhe
20.15mm
Normy/schválení
Lead (Pb) Free package, ECOPACK
Řada
H
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 142,84
€ 4,761 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 142,84
€ 4,761 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,761 | € 142,84 |
| 60 - 120 | € 4,638 | € 139,13 |
| 150+ | € 4,523 | € 135,70 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Maximální ztrátový výkon Pd
469W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Höhe
20.15mm
Normy/schválení
Lead (Pb) Free package, ECOPACK
Řada
H
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products