STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 120 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
120A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
469W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Betriebstemperatur min.
-40°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Řada
Trench Gate Field Stop
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 146,35
€ 4,878 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 146,35
€ 4,878 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
120A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
469W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Betriebstemperatur min.
-40°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Řada
Trench Gate Field Stop
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products