STMicroelectronics IGBT STGWT30H60DFB Typ N-kanálový 60 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Skladové číslo RS: 860-7325PZnačka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STGWT30H60DFB
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

260W

Gehäusegröße

TO-3P

Typ montáže

Through Hole

Typ kanálu

Type N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

HB

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 4,56

€ 2,28 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

STMicroelectronics IGBT STGWT30H60DFB Typ N-kanálový 60 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Tuba)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2€ 4,56
4€ 9,12
6€ 13,68
8€ 18,24
10€ 22,80
12€ 27,36
14€ 31,92
16€ 36,48
18€ 41,04
20€ 45,60
22€ 50,16
24€ 54,72
26€ 59,28
28€ 63,84
30€ 68,40

€ 4,56

€ 2,28 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

STMicroelectronics IGBT STGWT30H60DFB Typ N-kanálový 60 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Tuba)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2€ 4,56
4€ 9,12
6€ 13,68
8€ 18,24
10€ 22,80
12€ 27,36
14€ 31,92
16€ 36,48
18€ 41,04
20€ 45,60
22€ 50,16
24€ 54,72
26€ 59,28
28€ 63,84
30€ 68,40

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

260W

Gehäusegröße

TO-3P

Typ montáže

Through Hole

Typ kanálu

Type N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

HB

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more