STMicroelectronics IGBT STGWT80H65DFB Typ N-kanálový 650 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Skladové číslo RS: 829-7136PZnačka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STGWT80H65DFB
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

469W

Gehäusegröße

TO-3P

Typ montáže

Through Hole

Typ kanálu

Type N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

HB

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 29,40

€ 5,88 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

STMicroelectronics IGBT STGWT80H65DFB Typ N-kanálový 650 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Tuba)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 1
5€ 29,40
6€ 35,28
7€ 41,16
8€ 47,04
9€ 52,92
10€ 52,90
11€ 58,19
12€ 63,48
13€ 68,77
14€ 74,06
15€ 79,35
16€ 84,64
17€ 89,93
18€ 95,22
19€ 100,51

€ 29,40

€ 5,88 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

STMicroelectronics IGBT STGWT80H65DFB Typ N-kanálový 650 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Tuba)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 1
5€ 29,40
6€ 35,28
7€ 41,16
8€ 47,04
9€ 52,92
10€ 52,90
11€ 58,19
12€ 63,48
13€ 68,77
14€ 74,06
15€ 79,35
16€ 84,64
17€ 89,93
18€ 95,22
19€ 100,51

MnožstvoJednotková cena
5 - 9€ 5,88
10 - 24€ 5,29
25 - 49€ 4,76
50+€ 4,52

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

469W

Gehäusegröße

TO-3P

Typ montáže

Through Hole

Typ kanálu

Type N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

HB

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more