STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 650 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Maximální ztrátový výkon Pd
469W
Gehäusegröße
TO-3P
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
RoHS
Řada
HB
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 143,66
€ 4,789 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 143,66
€ 4,789 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,789 | € 143,66 |
| 60 - 120 | € 4,075 | € 122,25 |
| 150+ | € 3,975 | € 119,24 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Maximální ztrátový výkon Pd
469W
Gehäusegröße
TO-3P
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
RoHS
Řada
HB
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products