IGBT STGWT80H65FB N-kanálový 120 A 650 V, TO-3P, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý

Skladové číslo RS: 829-7145PZnačka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STGWT80H65FB
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

120 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

469 W

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Maximální pracovní teplota

175 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT STGWT80H65FB N-kanálový 120 A 650 V, TO-3P, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
Vyberte typ balenia

P.O.A.

IGBT STGWT80H65FB N-kanálový 120 A 650 V, TO-3P, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

120 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

469 W

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Maximální pracovní teplota

175 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more