řada: DeepGate, STripFETMOSFET STH150N10F7-2 N-kanálový 110 A 100 V, H2PAK-2, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
H2PAK-2
Řada
DeepGate, STripFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
117 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
10.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 3,32
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 3,32
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,32 | € 6,64 |
| 10 - 18 | € 3,15 | € 6,30 |
| 20 - 48 | € 2,835 | € 5,67 |
| 50 - 98 | € 2,55 | € 5,10 |
| 100+ | € 2,43 | € 4,86 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
H2PAK-2
Řada
DeepGate, STripFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
117 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
10.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products