Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.9mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
117nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.57 mm
Výška
4.8mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 981,41
€ 1,981 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 981,41
€ 1,981 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.9mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
117nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.57 mm
Výška
4.8mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


