řada: DeepGate, STripFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS: 168-8819Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STH150N10F7-2
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Type N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

110A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Gehäusegröße

H2PAK

Řada

DeepGate, STripFET

Typ montáže

Surface

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

3.9mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

117nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

175°C

Breite

10.57 mm

Výška

4.8mm

Délka

10.4mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

No

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1 981,41

€ 1,981 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: DeepGate, STripFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

€ 1 981,41

€ 1,981 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: DeepGate, STripFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Type N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

110A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Gehäusegröße

H2PAK

Řada

DeepGate, STripFET

Typ montáže

Surface

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

3.9mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

117nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

175°C

Breite

10.57 mm

Výška

4.8mm

Délka

10.4mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

No

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more