Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
2.3mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
315W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
180nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.4 mm
Výška
4.8mm
Délka
15.25mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 417,96
€ 3,418 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 3 417,96
€ 3,418 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
2.3mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
315W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
180nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.4 mm
Výška
4.8mm
Délka
15.25mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


